设计负责人脸上的自豪感褪去，变得凝重起来。
他看向了工艺整合负责人和设计-工艺产品线总裁孟良凡。
冯庭波适时接话：
“尘风总问到了核心。
设计只是蓝图，制造才是将蓝图变为现实的关键。
下面，就请工艺团队和孟总，为我们揭示‘猎人’芯片在14n fi平台上的真实情况。”
工艺整合负责人深吸一口气，站了起来。
他操作投影，画面切换到了一张令人眼花缭乱的多维度图表：14n fi工艺平台良率追踪图。
上面布满了各种颜色的曲线，代表着不同批次的晶圆、不同的测试结构、在不同的关键工艺节点上的良率表现。
“姚总的问题非常首接，我也首接回答。”他的声音努力保持平静，但能听出紧张。
“‘猎人’芯片，是基于我们华兴eda团队与海思共同开发的新一代pdk进行设计和仿真的。
其仿真模型，大量参考了孟教授团队带来的理论模型和中芯国际产线的早期数据。”
他指向图表的核心区域，一条原本剧烈波动但近期逐渐趋于平稳的曲线：
“这就是‘猎人’芯片核心计算模块的试产良率趋势。。
“如果我没记错，上次季度汇报，这个数字还在45徘徊。
这个爬坡速度，超出了我们内部的预期。
怎么做到的？”
“是的，姚总，提升速度确实超预期。”负责人语气肯定，也有振奋。
“突破主要来自三个方面：
首先是孟总团队带来的fi三维鳍片形状和应力工程的精确调控模型，优化了载流子迁移率，显著降低了漏电流，这是提升良率和能效的基础。”
“其次，是在后段互连环节，我们和中芯国际的伙伴共同攻关，采用了新的铜互连阻挡层材料和更低介电常数的低k介质，有效降低了rc延迟和整体芯片功耗。”
“而第三点，至关重要，”他提高了音量，目光转向陈默。
“陈总领导的eda团队，提供了更新一代、精度更高的pdk和仿真模型。
特别是其中的化学机械抛光（p）建模和面向制造的设计（df）规则检查，让我们在设计阶段就预先规避了超过30的潜在制造热点（hotspot）和天线效应问题。
这大大减少了流片后的反复次数，缩短了良率爬升周期。
可以说，是设计和工具的进步，反向拉动了制造工艺的成熟。”。
这标志着我们己初步掌握了中端性能芯片的自主可控设计制造能力。”
他话锋一转，依旧保持着客观：
“但我们必须清醒，这与台积电7n成熟制程超过95的良率相比，差距巨大。
这意味着我们的成本劣势短期内难以消除，可能高出30-50。
同时，受限于当前工艺水平，芯片的峰值性能和高频下的功耗，与国际最先进水平存在一代左右的差距。”
冯庭波接过话头，目光灼灼地看向姚尘风，语气沉稳而决断：
“尘风总，差距存在，但意义更大。
这意味着我们的手中有了一张牌。
我正式提议，启动‘猎人计划’。
下一代荣耀py系列、荣耀x系列，以及部分平板和物联网产品的核心芯片，必须有一部分型号切换到这个自研平台。