种技术上场。
将来的超级充电桩全国网络蓝图，听着真不像是“画饼”。
搭载相关技术的车型一旦走起量，将会直接把现有充电桩群，和未来超充桩的使用上限拔高一大截。而许易所展示的，还只是第一代双枪快充技术。
实际上他们内部连第二代双枪快充的方案都有了，真正的研发一代储备一代，放出来简直亮瞎王垒的双眼！！
届时在两台120kw超充桩的加持下，直接能达到最大240kw的充电速度。
真正实现左脚踩右脚，商用充电桩的充电速度，压缩在半个小时以内。
目前60kw的商业充电桩。
充满一台车的效率，实际是要花费一个半多小时。
有些仅仅搭载了30kw快充模块的车子，更是需要两个小时多那么夸张。
出现这种情况，他们这种相关行业人士，其实内心比车主还急！
如果能把车子的充电速度，压缩在一个小时以内，那么随着新能源车数量增多，商用充电桩的翻台率将会提高一个量级。
原本被资本所不看好的商用充电桩，盈利空间直线上升，也会变成三方资本投资的香饽饽。届时快充所需要的sic碳化硅模块，将会订单需求暴涨！
对他们来说是重大利好。
“许总，这边就是咱们的SiC二极管生产线，核心环节一共包括芯片加工、器件制造、封装测试三大模块“高性能的SiC Schottky二极管，带来的开关损耗和反向恢复电荷都显著优于行业平均水平，导通电阻和高温稳定性，可以对标英飞凌……”
“用在快充模块这种核心功率部件上，能将效能发挥到最佳，且使用寿命和发热稳定性控制在极其良好的水平。”
聊完投资后，一切都变得愉快起来。
泰科天润技术总监陈默，主动带着许易一行人，参观起了公司内部精密的sic产线。
国产器件性能对标英飞凌
这句话听起来很夸张。
但从前英飞凌总部的SiC器件设计专家嘴里说出来，又变得有几分可信度了。
“有了这笔资金支持，我们也可以着手扩充SiC MOSFET的研发设计，预计在20个月内可以完成SiCMOSFET的流片。
不过。
目前就算仅仅采用我们自研的SiC Schottky，预计快充模块的成本，也可以降低10%。也就是单台快充模块总成本一万三，能达到1300元的成本降幅。
如果等SiCMOSFET的研发流片完成，总成本降幅预计可达到25%。”
讲完主要技术参数。
陈默连忙又补充起了他们的“核心价值”。
高压快充模块有接近40%的成本，都来源于功率半导体。
而进口的sic价格又十分昂贵。
一旦实现自研替代进口，这部分的成本降低40%都不是问题。
许易听完，不禁露出满意的表情。
新能源车要走量，以及全国超充桩要铺开，这部分的成本是必须要打下来的。
按照现在的发展来看，基本符合前世的sic自研降本技术路线。
如果再将sic晶圆替换为国产，那么等到一年半载后，产线彻底形成规模，总计达到35%的成本降幅也不是不可能。
届时一台高压快充模块的成本，就能从一万多降低至八千元。
稳辣！！
“晶圆供货的情况怎么样？”
许易问。
这话一出，王垒和其他几人的神色难免有些不正常，叹了口气道：“Cree最近产能紧张，成本偏高，而且偶尔有延期。
如果有大批量需求，经常需要提前下单，上次由于晶圆交付周期从8周延长到12周，我们就损失了一笔订单。”